Anwendung von Wolfram- und Molybdänkomponenten bei der Halbleiterionenimplantation
Unter Ionenimplantation versteht man das Phänomen, dass ein Ionenstrahl im Vakuum, der auf ein festes Material geschossen wird, auf Widerstand vom festen Material stößt, seine Geschwindigkeit langsam abnimmt und schließlich im festen Material verbleibt. Während dieser Zeit kommt es zu einer Reihe physikalischer und chemischer Wechselwirkungen zwischen dem Ionenstrahl und den Atomen oder Molekülen im Material. Die einfallenden Ionen verlieren nach und nach Energie und verbleiben schließlich im Material, was zu Veränderungen in der Oberflächenzusammensetzung, Struktur und Leistung des Materials führt und dadurch die Oberflächenleistung des Materials optimiert oder eine neue hervorragende Leistung erzielt.
Die Halbleiter-Ionenimplantationstechnologie ist eine High-Tech-Technologie zur Oberflächenmodifizierung von Materialien. Es wird häufig bei der Dotierung von Halbleitermaterialien, der Oberflächenmodifizierung von Metallen, Keramiken, Polymeren usw. eingesetzt.
Die Ionenimplantation spielt als wichtige Dotierungstechnologie in der Mikroelektroniktechnik eine Schlüsselrolle bei der Optimierung der Oberflächenleistung von Materialien. Bei der heutigen Herstellung großformatiger integrierter Schaltkreise kann man sagen, dass es ein unverzichtbares Mittel ist.
Der Ionenimplantationsprozess stellt sehr hohe Anforderungen an die Hochtemperaturleistung und die chemische Korrosionsbeständigkeit des Materials. Daher bestehen die Hauptbestandteile der Ionisationskammer aus Wolfram, Molybdän oder Graphit.
Luoyang Rare Metal Research Material Co.,Ltd produziert hauptsächlich tragende Teile für Ionenimplantatoren und seine Hauptprodukte sind hochenergetische Ionenquellenkomponenten für die Halbleiter-Ionenimplantation aus Wolfram- und Molybdänmaterialien.
Unsere Wolfram- und Molybdänprodukte für Ionenimplantierer weisen eine stabile hohe Reinheit und gute mechanische Eigenschaften auf, um sicherzustellen, dass sie für die Bearbeitung von Lichtbogenkammerteilen mit komplexen Formen geeignet sind.
